Al Fortronic Power la soluzione per risolvere i problemi di EMI con SiC e GaN

Le tecnologie WBG come SiC e GaN consentono di utilizzare efficacemente frequenze di commutazione più elevate e gestiscono fronti molto ripidi, nonché tensioni elevate.

Queste caratteristiche migliorano l’efficienza della commutazione degli alimentatori, ma rendono più difficile rispettare le normative sulle interferenze elettromagnetiche.

Per ottenere la conformità alle norme EMI, il seguire le corrette linee guida progettuali per la riduzione delle interferenze è tanto importante quanto effettuare prove accurate per ottimizzare il progetto sin dalla fase di sviluppo.

L’oscilloscopio: strumento principe

Gli oscilloscopi sono strumenti potenti che supportano le attività quotidiane dei progettisti elettronici. La sensibilità e le prestazioni degli oscilloscopi moderni consentono di svolgere attività di ottimizzazione EMI durante la fase di sviluppo di un nuovo prodotto.

La scelta diretta della frequenza centrale e della larghezza di banda di risoluzione e della frequenza, insieme all’elevata velocità di aggiornamento, sono caratteristiche degli oscilloscopi Rohde & Schwarz che si rivelano molto utili nell’identificazione delle interferenze elettromagnetiche.

Con il set di sonde compatte R&S®HZ-15 per le misure in campo vicino del campo elettrico e del campo magnetico, oppure il set di sonde compatte per misure in campo vicino del campo magnetico R&S®HZ-17 (entrambi con larghezza di banda di 3 GHz), la sorgente e il percorso di trasmissione delle emissioni indesiderate su un circuito stampato possono essere localizzati facilmente.

FFT con porta temporale per l’analisi correlata tempo-frequenza
Le emissioni spettrali eccessive possono essere così correlate a particolari periodi di tempo in un segnale continuo.

Durante i test sulle emissioni EMI, ciò non solo aiuta a identificare la sorgente di emissioni elettromagnetiche indesiderate nei segnali nel dominio del tempo, ma consente anche di effettuare molto più semplicemente le misure in diversi scenari operativi.

Ottimizzazione delle tensioni di pilotaggio del gate relativamente alle emissioni EMI

Una sorgente di emissioni EMI nei circuiti elettronici di potenza è il ponte a MOSFET con elevata velocità di commutazione. La modifica della tensione di pilotaggio del gate dei transistor di commutazione è rappresenta una possibilità di intervento immediato per la riduzione delle interferenze elettromagnetiche. Ciò richiede di eseguire in parallelo una misura della tensione di pilotaggio del gate, del segnale di uscita e della radiazione emessa, nonché del loro spettro.

Rohde & Schwarz sarà presente al Fortronic Power ed è disponibile ad analizzare i problemi che possono essere risolti con la loro strumentazione.

La partecipazione a Fortronic è gratuita, previa registrazione online. Registrati qui all’evento