15 – 16 aprile 2025, BolognaFiere

Infineon lancia la sesta generazione di diodi Schottky CoolSiC da 650V

Infineon Technologies introduce nel proprio portafolio il diodo Schottky CoolSiC 650V G6 in tecnologia SiC, sfruttando appieno tutti i vantaggi del SiC rispetto al silicio

Questo ultimo sviluppo della famiglia di diodi CoolSiC è costruita e si basa sulle caratteristiche distintive del G5, garantendo affidabilità, qualità e maggiore efficienza.

I diodi CoolSiC G6 sono un complemento perfetto per le famiglie CoolMOS 7 da 600V e 650V soddisfacendo i requisiti applicativi più rigorosi in questa gamma di tensioni.

Questa nuova famiglia di diodi è dedicata alle applicazioni di alimentazione per Server e PC, per apparecchiature Telecom e PV Inverter (inverter fotovoltaici).

Il diodo Schottky CoolSiC 650V G6 presenta un nuovo layout, una nuova struttura e un nuovo sistema Schottky in metallo proprietario.

Il risultato è un benchmark di settore V  (1,25 V) e un FOM (figure of merit) Qc x VF, inferiore del 17% rispetto alla generazione precedente.

Inoltre, il nuovo diodo G6 sfrutta le forti caratteristiche del SiC per il comportamento di switching indipendente dalla temperatura e non prevede alcun reverse recovery charge.

Il design del dispositivo offre una maggiore efficienza in tutte le condizioni di carico e una maggiore densità di potenza del sistema.

Pertanto, il diodo Schottky CoolSiC 650V G6 presenta requisiti di raffreddamento ridotti, maggiore affidabilità del sistema e switching estremamente rapido.

Massimiliano Anticoli