Il ponte intero PWD13F60 SiP di ST
Il System in Package (SiP) di ST integra MOSFETs, Gate Driver e protezioni per risparmiare spazio, semplificare il progetto e snellire l’assemblaggio.
Il SiP PWD13F60 di STMicroelectronic contiene un ponte complete di MOSFET da 600V/8A a singola fase in una dimensione di 13mm x 11mm consentendo di risparmiare sulla BOM e sullo spazio occupato sulla scheda nelle applicazioni di pilotaggio di motori industriali, alimentatori, convertitori e inverter.
Un’alternativa efficiente ad altri moduli
Con una impronta più piccola del 60% rispetto di un circuito equivalente realizzato a discreti il PWD13F60 consente di incrementare la densità di potenza nelle applicazioni finali. Integrando quattro MOSFET di Potenza rappresenta una alternativa efficiente ad altri moduli sul mercato che sono tipicamente mezzi ponte a due FET o dispostivi trifase con sei FET. Contrariamente ad entrambe queste alternative è necessario un solo PWD13F60 per implementare un ponte intero monofase utilizzando tutti i MOSFET. Il dispositivo offre anche la possibilità di configurare il modulo come ponte intero c come due mezzi ponte.
Cosa integra il SiP di ST?
Il PWD13F60 integra i driver per i MOSFET di potenza, il diodo di boostrap per il pilotaggio del lato alto semplificando così la realizzazione della scheda e semplificando l’assemblaggio eliminando componenti esterni. I gate driver sono ottimizzati per una commutazione affidabile e basse emissioni EMI (electromagnetic interference). Il SiP offre, tra le altre funzionalità la protezione da cross-conduzione e di under-voltage lockout che aiutano a minimizzare ulterioremente la sicurezza del sistema finale.
Il PWD13F60 è già disponibile in un package VFQFPN multi-isola termicamente efficiante. Per ulteriori dettagli: www.st.com/pwd13f60-pr.
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