MOSFET di potenza a canale N singolo
I MOSFET di potenza a canale N singolo di ON Semiconductor della serie NTMFS6, caratterizzati da dimensioni ridotte (5x6mm), sono ideali per lo sviluppo di progetti compatti. Il basso valore di RDS(on) minimizza le perdite per conduzione, mentre i bassi valori di QG e di capacità contribuiscono a ridurre le perdite nel driver. Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni e BFR e sono conformi alle direttive RoHS.
Caratteristiche dei MOSFET di potenza
- Dimensioni ridotte (5×6 mm) per progetti compatti
- Basso valore di RDS(on) per minimizzare le perdite per conduzione
- Bassi valori di QG e capacità per ridurre le perdite nel driver
I MOSFET di ON Semiconductor saranno presentati da Mouser Electronics in occasione del Power Fortronic 2015, a Bologna il 17 settembre.
