La tecnologia GaN-on-Silicon nei mercati e applicazioni RF grazie a MACOM e STMicroelectronics
MACOM Technology Solutions Holding e STMicroelectronics hanno annunciato un accordo per lo sviluppo di wafer di GaN (Nitruro di gallio) on Silicon che saranno prodotti da ST e utilizzati da MACOM in numerose applicazioni RF.
Oltre ad ampliare le fonti di approvvigionamento di MACOM, l’accordo assegna a ST il diritto di produrre e commercializzare i propri prodotti con tecnologia GaN-on-Silicon in mercati RF al di fuori dei settori della telefonia cellulare, delle stazioni base wireless e delle relative applicazioni per infrastrutture di telecomunicazione commerciali.
Grazie a questo accordo, MACOM avrà accesso a una più ampia capacità produttiva per i wafer di silicio e a una struttura di costi migliore, che potrebbe permettere di sostituire gli attuali LDMOS di silicio e di accelerare l’adozione della tecnologia GaN-on-Silicon nei mercati tradizionalmente mainstream.
ST e MACOM collaborano già da diversi anni per rafforzare la produzione GaN-on-Silicon negli impianti di wafer CMOS di ST.
In base alle tempistiche previste attualmente, la produzione di campioni da parte di ST dovrebbe iniziare nel 2018.
“Questo accordo rafforza il nostro progetto a lungo termine di guidare la conversione del settore RF verso la tecnologia GaN-on-Silicon. Finora, MACOM ha affinato e dimostrato le qualità della tecnologia GaN-on-Silicon in impianti di semiconduttori composti piuttosto limitati, dove ha replicato o addirittura superato le prestazioni RF e l’affidabilità di tecnologie alternative più costose come il GaN-on-SiC,” ha dichiarato John Croteau, President & CEO di MACOM. “Ci attendiamo che la collaborazione con ST ci permetta di portare quelle innovazioni GaN in una supply chain del silicio che è in grado di servire anche i clienti e le applicazioni più esigenti.”
“Le dimensioni di scala e l’eccellenza operativa di ST nella manifattura di wafer di silicio mirano a sbloccare il potenziale di sviluppo di nuove applicazioni di potenza RF per MACOM e ST, consentendo di realizzare i presupposti economici necessari per espandere il mercato per il GaN-on-Silicon,” ha dichiarato Marco Monti, Presidente dell’Automotive & Discrete Product Group di STMicroelectronics. “Siamo certamente interessati ad ampliare le opportunità per le attuali applicazioni RF, ma siamo ancora più interessati a usare la tecnologia GaN-on-Silicon in nuove applicazioni di energia RF, soprattutto nel settore automotive, come ad esempio in sistemi di accensione al plasma per una combustione più efficiente nei motori tradizionali, o in applicazioni di illuminazione RF per sistemi di luci più efficienti e di maggiore durata.”
“Una volta superata la barriera di 0,04 dollari/watt per i dispositivi a semiconduttore RF ad alta potenza, si potranno aprire importanti opportunità per il mercato dell’energia RF”, dichiara Eric Higham, responsabile dell’Advanced Semiconductor Applications Service di Strategy Analytics. Prosegue Higham: “Le vendite di dispositivi di energia RF potrebbero arrivare a centinaia di milioni per applicazioni come i sistemi di cottura a microonde commerciali, i sistemi di illuminazione e accensione per le automobili e le luci al plasma, con fatturati che potrebbero raggiungere miliardi di dollari.”
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